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SI2306BDS-T1-GE3库存信息

更新时间:2021-10-27 10:36:00
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SI2306BDS-T1-GE3中文资料

功能描述:MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI2306BDS-T1-GE3 PDF资料

型号: SI2306BDS-T1-GE3 前往资料站下载: 下载
原厂全称: Vishay Intertechnology, Inc. 原厂简称: VISHAY
页数: 5 文件大小: 110 /kb
说明: N-Channel 30-V (D-S) MOSFET